本发明专利技术公开了一种两步法制备二硫化钼薄膜的工艺。操作流程如下：首先，需要把基底清洗干净，然后称量三氧化钼粉末，把它放到石英舟里，再把石英舟放进管式炉中，把基底放在装有三氧化钼的石英舟后面，接着，称量硫粉，把它放在料瓶里，把伴热带包在料瓶外面，放在管式炉外面，把料瓶的进出气管接到管式炉的气管上，然后，抽真空，通入氩气，把管式炉加热，进行第一次沉积，第一次沉积完成后，进行第二次沉积，把料瓶加热，然后通入氩气，对三氧化钼进行硫化，最后，把料瓶和管式炉自然冷却到室温kaiyun.ccm，取出样品进行检测。运用这项技术，可以防止常规化学气相沉积时硫挥发失控造成三氧化钼过早被硫化，通过分两步制备二硫化钼薄膜，可让整个反应流程更为稳定，操作更具规范性。
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【技术实现步骤摘要】
这项专利技术关乎钼二硫化物薄膜材料的制作工艺，主要介绍了一种分两阶段制备钼二硫化物薄膜的技术流程。
技术介绍
二硫化钼属于新型二维半导体材料，单层二硫化钼为直接带隙半导体开yun体育app官网网页登录入口，与硅材料对比，它的体积更小，基于此材料制成的场效应晶体管静态功耗极低，还能有效缓解器件尺寸微缩时产生的短沟道问题，在集成电路等领域能够发挥重要作用。现阶段，二硫化钼薄膜材料主要借助化学气相沉积技术，在蓝宝石基片上制备，制备期间通常使用硫蒸汽对三氧化钼实施硫化反应，生成二硫化钼，所需硫源一般放置于管式加热炉内kaiyun全站网页版登录，但管式炉在加热时难以稳定硫蒸汽压，硫蒸汽的过早挥发会导致三氧化钼被提前硫化，进而以二硫化钼形态沉积在基片表面，致使整个制备过程缺乏稳定性，所得薄膜多为多晶结构，且厚度难以精确调控，难以获得均匀的单层二硫化钼薄膜，极大限制了该材料在多个领域的实际应用。因此，怎样准确调控硫源的温度与蒸汽压，成功制备单层二硫化钼单晶薄膜，在二硫化钼的制备过程中具有关键作用。
技术实现思路
本专利技术针对当前化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长二硫化
【技术保护点】
一种采用两阶段方法制作二硫化钼薄膜的技术，其特点在于，该技术包含以下环节：首先，对蓝宝石衬底进行表面清洁；其次，取适量三氧化钼粉末，置于石英舟中，然后将其放入管式炉加热核心部位；同时，将蓝宝石衬底安放在装有三氧化钼的石英舟下方；再者，取一定量高纯硫粉，存放于不锈钢容器内，用伴热带围绕在不锈钢容器外部，作为硫的供应源，且放置在管式炉外部，不锈钢容器内的进气口和出气口分别与管式炉的进气系统相连接；然后，对管式炉进行抽真空处理，导入氩气作为载气，将压力维持在950至1050毫巴之间，将管式炉升温至800至1000摄氏度，启动第一步三氧化钼沉积过程，沉积持续时间为15至40分钟；最后，完成第一步三氧化钼沉积后，将装有硫粉的不锈钢容器
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术领域的专家有兰飞飞，还有徐永宽，同时程红娟也是其中一员，再加上张嵩，陈建丽也参与其中，王再恩和齐成军同样属于这个团队。
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12
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