清洁太阳能硅晶片非常重要，它会影响电池的转换效率，例如设备性能的反向迅速增加和设备的故障。因此，清洁硅晶片非常重要。以下主要引入了清洁功能和清洁原理。
清洁功能
1。在制备太阳能电池板“>太阳能材料”期间，在硅的表面上涂有一层具有良好性能的反射膜。有害的杂质离子进入二氧化硅层，这将降低绝缘性能和清洁后绝缘性能会更好。
2。在血浆边缘腐蚀期间，如果有油，水，灰尘和其他杂质，它将影响设备的质量，并在清洁后大大提高质量。
3。硅晶片中的杂质离子会影响PN连接的性能，从而导致PN连接的故障电压减少和表面泄漏，从而影响PN连接的性能。
4。在硅晶片外延过程中，杂质的存在将影响硅晶片的不稳定电阻率。
清洁原理
要了解清洁原则，您必须首先了解杂质的类型。杂质分为三类：一个是分子杂质，包括加工过程中的一些有机物；另一个是离子杂质，包括腐蚀过程中钠离子和氯离子。 ，氟化离子等；第三，金，铁，铜和铬等原子杂质开yun体育app官网网页登录入口，一些重金属杂质。最常用的清洁方法是：化学清洁，超声清洁和真空高温治疗。
1。当前有两个化学清洁步骤：
（1）有机溶剂（甲苯，丙酮，酒精等）→去离子水→无机酸（盐酸，硫酸，硝酸，硝酸，水生酸）→氢氟→去离子水
（2）碱性过氧化氢溶液→去离子水→酸性过氧化氢溶液→去离子水
下面讨论了试剂在各个步骤中的作用。
一个。有机溶剂在清洁中的作用
用于硅晶片清洁的常用有机溶剂包括甲苯，丙酮，酒精等。在清洁过程中，有机溶剂的功能，例如甲苯，丙酮和酒精，将去除有机杂质，例如油脂，松香和蜡蛋白和蜡蛋白和蜡，硅晶片的表面。所使用的原理是“相似且可溶的”。
b。无机酸在清洁中的作用
硅晶片中的杂质kaiyun.ccm，例如镁，铝，铜，银，金，氧化铝，氧化镁，二氧化硅等，只能用无机酸去除。相关反应如下：
2AL+6HCL = 2ALCL3+3H2↑
Al2O3+6HCl = 2ALCL3+3H2O
CU+2H2SO4 = CUSO4+SO2↑+2H2O
2AG+2H2SO4 = 2AG2SO4+SO2↑+2H2O
CU+4HNO3 = CU（NO3）2+2NO2↑+2H2O
AG+4HNO3 = AGNO3+2NO2↑+2H2O
AU+4HCl+HNO3 = H [AUCL4]+否↑+2H2O
SIO2+4HF = SIF4↑+2H2O
如果HF过多
H2O2的功能：在酸性环境中充当还原剂，在碱性环境中充当氧化剂。在清洁硅晶片时，一些不溶物质被转化为易于溶剂的物质。喜欢：
AS2S5+20H2O2+16NH4OH = 2（NH4）3ASO4+5（NH4）2SO4+28H2O
MNO2+H2SO4+H2O2 = MNSO4+2H2O+O2↑
C.RCA清洁方法和原理
在生产中，对于常用的RCA方法以及基于RCA清洁方法在清洁硅晶片表面中的RCA清洁方法的改进，RCA清洁方法被分为编号ⅰ清洁剂（APM）和编号ⅱ清洁剂（ HPM）。清洁剂I（APM）的构型由去离子水，30％的过氧化氢和25％的氨水形成：5：1：1：1至5：2：1；清洁剂II（HPM）的配置是使用去离子水，30％过氧化氢和25％盐酸按体积比：6：1：1：1至8：2：1。清洁原理是：氨分子，氯离子等。与重金属离子（如铜离子，铁离子等）形成稳定的复合物，例如：[aucl4] - ，[cu（nh3）4] 2+，[ SIF6] 2-。
在清洁过程中，通常应在75-85时清洁并洗涤约15分钟，然后用去离子水冲洗。清洁剂号（APM）和清洁剂号（HPM）具有以下优势：
（1）这两种清洁剂可以很好地清洁剩余的有机物，例如硅晶片上的蜡，松香和其他有机物，以及一些重金属，例如黄金和铜；
（2）与其他清洁剂相比，它可以减少钠离子的污染；
（3）与浓硝酸，浓硫酸，水含量和铬酸清洁液体相比，这两种清洁液对环境几乎没有污染kaiyun全站网页版登录，并且相对方便地操作。
2。超声波在清洁中的作用
目前，超声清洁技术已被广泛用于半导体生产和清洁过程中。超声清洁具有以下优势：
（1）良好的清洁效果和简单的清洁程序，减少复杂化学清洁引起的杂质的可能性；
（2）也可以为某些复杂形状的容器或设备清洁。
超声清洁的缺点是，当超声波的效果很大时，由于振动摩擦，硅晶片的表面可能会造成造成损坏，例如划痕。
超声波产生的原理：高频振荡器会产生超声电流并将其传输到传感器。当传感器产生超声振动时，在液体超声波中，超声振动通过连接到传感器的液体容器的底部扩散到液体中。
3。真空高温处理的清洁效果
硅晶片进行化学清洁和超声波后，硅晶片需要真空高温处理，然后进行外延生长。真空高温处理的优势：
（1）由于硅晶片处于真空状态，因此空气中灰尘的染色减少；
（2）可能吸附在硅晶片表面上的某些气体和溶剂分子的挥发性增加，因此很容易在真空中的高温下去除；
（3）硅晶片可能染色的一些固体杂质容易在真空高温条件下分解和去除。
